PECVD化学气相淀积控制器用于氮化硅淀积设备的控制,是一部单腔制程的电浆辅助化学气相沉积系统，适用于 200mm 晶圆制造以及Ⅲ-Ⅴ族晶圆制程，可沉积制造薄膜包括氮化硅(SiNX)和氮化硅氧化硅(SiO2) 碳化硅 (SiC) 等高质量薄膜沉积。

PECVD化学气相淀积控制器适用于半导体生产制程；为了顺应批次生产之数量扩充，本公司更提供 18 吋大面积之尺寸适用 Ⅲ-Ⅴ 族晶圆制程 2 吋芯片可达 42 片，以及大阳能电池相关制程之应用。

PECVD化学气相淀积控制器拥有良好之均匀性 (<3%) 以及半导体制造过程中所需的阶梯覆盖及隙缝填补能力，可应用在保护层、隔离层和介电绝缘层沉积以及光罩 (hard mask) 等制程应用，提供 MMIC、VCSEL、蓝光 LED、LD 等光电与通讯半导体组件以及太阳能产业的必要制程设备。

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